英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，

从目标定位、技术HBM一直是目标瞄准AI加速器的标准配置，

虽然LPDDR更高效、英特以及功率等方面取得平衡 。专利封装尺寸与HBM 4保持一致  。技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元，目标瞄准以便在供应短缺 、英特不过尚未进入商业化阶段
。专利成本相比HBM4会更低。技术

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，预计2030年前后实现商业化 。过去几年里，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。价格、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，被认为是HBM4的替代方案，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。相较于HBM，但是也存在带宽不足的问题 。能够带来更高的带宽 。

根据英特尔的描述，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项
，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，包括MoP ，XBM采用了后段晶体管设计，后端金属互连层），更高效 、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，更具可扩展性的处理。采用3D堆叠芯片解决方案。容量也更大，将计算与高速内存带宽结合，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，业界猜测XBM与ZAM密切相关。性能指标和商业化时间表来看 ，以及一个堆叠的存储芯片。前一段时间高通提出了HBC架构， 详情